Điện-Điện Tử

Diode bán dẫn giécmani và silici

Diode bán dẫn giécmani gồm có tinh thể giécmani 1, trên nó đặt miếng indi 2. Indi nóng chảy khuếch tán vào tinh tbể giécmani tạo nên vùng dẫn điện loại p, vùng giécmani còn lại dẫn điện loại n. Hướng dòng điện đi từ indi sang giécmani (hình 10.22a).

10.22

 

Đặc tính volt – ampere của diode là quan hệ giữa điện áp đặt lên diode và dòng điện chạy qua nó. Chúng ta xét quan hệ này. Khi đặt điện áp thuận và nhỏ lên diode, dòng điện chạy qua nó cũng nhỏ, tăng điện áp, dòng điện tăng lên nhưng không tỷ lệ với điện áp (đoạn OA trên hình 10.22b). Khi điện áp đủ lớn thì dòng điện tăng tỷ lệ với điện áp (đoạn AB). Đặt điện áp ngược lại, dòng điện chạy qua diode rất nhỏ. Dòng điện ngược Ingc phụ thuộc rất nhiều vào nhiệt độ. Nhiệt độ càng cao dòng điện ngược càng lớn. Do đó người ta qui định nhiệt độ làm việc của diode bán dẫn giécmani từ 50° đến 70°c.

Cấu tạo của diode bán dẫn silic cũng giống giécmani. Trên tinh thể silici có chứa miếng bo (hoặc nhôm). Cho bo nóng chảy khuếch tán vào silici, tạo nên vùng dẫn điện loại p, silici còn lại dẫn điện loại n. Hướng dòng điện đi từ bo sang silici.

Các thông sô’ của van bán dẫn cũng tương tự van điện tử. Điện trở trong của đèn.

 

10.22.1

Ở dụng cụ bán dẫn Ri rất nhỏ, nên trong tính toán thường bỏ qua.

Hệ số dẫn s = —

AU

Khi vận hành chúng ta còn phải chú ý không vượt quá các thông sô” sau:

–    Dòng điện chỉnh lưu trung bình cho phép Itbcp

–    Điện áp thuận lớn nhất trên diode Ưthmax

–    Điện áp ngược cho phép UngCp

–                       Nhiệt độ môi trường lớn nhất tmax

 

Post Comment